Erittäin puhdas piikarbidin kantaja/suskeptori

Erittäin puhdas piikarbidin kantoaine/suskeptori -suositeltu kuva

Lyhyt kuvaus:

Piikarbidilaakerilevy tunnetaan myös nimellä SIC-alusta, piikarbidietsauslevy, ICP-etsauslevy. Piikarbidiallas LED-etsaukseen (SiC-alusta) φ600mm on erityinen lisävaruste syvään piietsaukseen (ICP-etsauskone).

Lähetä meille sähköpostia

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Kuvaus

Piikarbidikeramiikalla on erinomaiset mekaaniset ominaisuudet huoneenlämpötilassa, kuten korkea lujuus, korkea kovuus, korkea kimmomoduuli jne., sillä on myös erinomainen korkeiden lämpötilojen stabiilius, kuten korkea lämmönjohtavuus, alhainen lämpölaajenemiskerroin ja hyvä ominaisjäykkyys ja optinen ominaisuus. käsittelyn suorituskykyä.
Ne soveltuvat erityisesti tarkkuuskeraamisten osien valmistukseen integroituihin piirilaitteisiin, kuten litografiakoneisiin, joita käytetään pääasiassa piikarbidin kantajan/suskeptorin, piikarbidikiekkoveneen, imulevyn, vesijäähdytyslevyn, tarkkuusmittaheijastimen, ritilän ja muiden keraamisten rakenneosien valmistukseen.

operaattori2

operaattori3

operaattori4

Edut

Korkean lämpötilan kesto: normaali käyttö 1800 ℃
Korkea lämmönjohtavuus: vastaa grafiittimateriaalia
Korkea kovuus: kovuus on toinen timantin, boorinitridin jälkeen
Korroosionkestävyys: vahvalla hapolla ja alkalilla ei ole korroosiota, korroosionkestävyys on parempi kuin volframikarbidi ja alumiinioksidi
Kevyt: pieni tiheys, lähellä alumiinia
Ei muodonmuutoksia: alhainen lämpölaajenemiskerroin
Lämpösokkien kestävyys: se kestää jyrkkiä lämpötilan muutoksia, kestää lämpöshokkia ja sillä on vakaa suorituskyky
Piikarbidialustaa, kuten sic-etsausalustaa, ICP-etsaussuskeptoria, käytetään laajalti puolijohde-CVD:ssä, tyhjiösputteroinnissa jne. Voimme tarjota asiakkaillemme räätälöityjä pii- ja piikarbidimateriaaleista valmistettuja kiekkoalustoja erilaisiin sovelluksiin.

Edut

Omaisuus	Arvo	Menetelmä
Tiheys	3,21 g/cc	Sink-kelluke ja mitat
Ominaislämpö	0,66 J/g °K	Pulssi lasersalama
Taivutusvoima	450 MPa 560 MPa	4 pisteen taivutus, RT4 pisteen mutka, 1300°
Murtuman sitkeys	2,94 MPa m1/2	Mikrolompaus
Kovuus	2800	Vicker's, 500g kuorma
Elastinen ModulusYoung's Modulus	450 GPa430 GPa	4 pt mutka, RT4 pt mutka, 1300 °C
Raekoko	2-10 µm	SEM

Yrityksen profiili

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. on edistyneen puolijohdekeramiikan johtava toimittaja ja ainoa valmistaja Kiinassa, joka voi samanaikaisesti tarjota erittäin puhdasta piikarbidikeramiikkaa (erityisesti uudelleenkiteytettyä piikarbidia) ja CVD-piikarbidipinnoitetta. Lisäksi yrityksemme on sitoutunut myös keramiikkakenttiin, kuten alumiinioksidiin, alumiininitridiin, zirkoniumoksidiin ja piinitridiin jne.

Päätuotteitamme ovat: piikarbidietsauslevy, piikarbidivenerouva, piikarbidikiekkovene (Photovoltaic & Semiconductor), piikarbidiuuniputki, piikarbidiulokelapa, piikarbidiistukat, piikarbidipalkki sekä CVD-palkki sekä SiC pinnoite. Tuotteet, joita käytetään pääasiassa puolijohde- ja aurinkosähköteollisuudessa, kuten laitteet kiteen kasvuun, epitaksiin, syövytykseen, pakkaamiseen, pinnoitus- ja diffuusiouuneihin jne.
noin (2)