Pitkä käyttöikä SiC-pinnoitettu grafiittipidike aurinkokiekkoja varten

Pitkäikäinen piikarbidipinnoitettu grafiittipidike aurinkokiekkoja varten. Esitelty kuva

Lyhyt kuvaus:

Piikarbidi on uudenlainen keramiikka, jolla on korkea kustannustehokkuus ja erinomaiset materiaaliominaisuudet. Korkean lujuuden ja kovuuden, korkean lämpötilan kestävyyden, erinomaisen lämmönjohtavuuden ja kemiallisen korroosionkestävyyden ansiosta piikarbidi kestää melkein kaikkia kemiallisia aineita. Siksi piikarbidia käytetään laajasti öljyn louhinnassa, kemianteollisuudessa, koneissa ja ilmatilassa, jopa ydinenergialla ja armeijalla on erityisvaatimukset piikarbidille. Joitakin tavallisia sovelluksia, joita voimme tarjota, ovat tiivisterenkaat pumpulle, venttiilille ja suojapanssariin jne.

Lähetä meille sähköpostia

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Edut

Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys
Erinomainen korroosionkestävyys
Hyvä kulutuskestävyys
Korkea lämmönjohtavuuskerroin
Itsevoitelukyky, alhainen tiheys
Korkea kovuus
Räätälöity suunnittelu.

Sovellukset

- Kulutusta kestävä kenttä: holkki, levy, hiekkapuhallussuutin, syklonivuori, hiomatynnyri jne.
-Korkean lämpötilan kenttä: siC-laatta, sammutusuuniputki, säteilevä putki, upokas, lämmityselementti, rulla, palkki, lämmönvaihdin, kylmäilmaputki, polttimen suutin, lämpöparin suojaputki, piikarbidivene, uunin rakenne, asetin jne.
-Piikarbidipuolijohde: SiC-kiekkovene, sic-istukka, sic-mela, sic-kasetti, sic-diffuusioputki, kiekkohaarukka, imulevy, ohjausrata jne.
-Piikarbiditiivistekenttä: kaikenlaiset tiivisterenkaat, laakerit, holkit jne.
-Valosähkökenttä: ulokemela, hiomatynnyri, piikarbiditela jne.
-Litium-akkukenttä

WAFER (1)

WAFER (2)

SiC:n fyysiset ominaisuudet

Omaisuus	Arvo	Menetelmä
Tiheys	3,21 g/cc	Sink-kelluke ja mitat
Ominaislämpö	0,66 J/g °K	Pulssi lasersalama
Taivutusvoima	450 MPa 560 MPa	4 pisteen taivutus, RT4 pisteen mutka, 1300°
Murtuman sitkeys	2,94 MPa m1/2	Mikrolompaus
Kovuus	2800	Vicker's, 500g kuorma
Elastinen ModulusYoung's Modulus	450 GPa430 GPa	4 pt mutka, RT4 pt mutka, 1300 °C
Raekoko	2-10 µm	SEM

SiC:n lämpöominaisuudet

Lämmönjohtavuus	250 W/m °K	Laser salamamenetelmä, RT
Lämpölaajeneminen (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Huoneen lämpötila 950 °C, silikadilatometri

Tekniset parametrit

Tuote	Yksikkö	Data
Tuote	Yksikkö	RBSiC (SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
SiC-sisältö	%	85	75	99	99.9	≥ 99
Ilmainen piipitoisuus	%	15	0	0	0	0
Max käyttölämpötila	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Tiheys	g/cm³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2,65-2,75	2,75-2,85
Avohuokoisuus	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Taivutuslujuus 20℃	Мpa	250	160	380	100	/
Taivutuslujuus 1200℃	Мpa	280	180	400	120	/
Kimmomoduuli 20℃	Gpa	330	580	420	240	/
Kimmomoduuli 1200℃	Gpa	300	/	/	200	/
Lämmönjohtavuus 1200℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Lämpölaajenemiskerroin	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	Kg/m^m2	2115	/	2800	/	/

Uudelleenkiteytettyjen piikarbidikeramisten tuotteiden ulkopinnan CVD-piikarbidipinnoite voi saavuttaa yli 99,9999 %:n puhtauden vastaamaan puolijohdeteollisuuden asiakkaiden tarpeita.