Semicera tarjoaa erikoistuneita tantaalikarbidipinnoitteita (TaC) erilaisille komponenteille ja kantoaineille.Semiceran johtava pinnoitusprosessi mahdollistaa tantaalikarbidipinnoitteiden (TaC) korkean puhtauden, korkean lämpötilan stabiilisuuden ja korkean kemiallisen sietokyvyn, mikä parantaa SIC/GAN-kiteiden ja EPI-kerrosten tuotteen laatua (Grafiittipinnoitettu TaC-suskeptori) ja pidentää reaktorin keskeisten komponenttien käyttöikää. Tantaalikarbidin TaC-pinnoitteen käyttö on ratkaistava reunaongelma ja parantaa kiteen kasvun laatua, ja Semicera on läpimurto ratkaissut tantaalikarbidipinnoitustekniikan (CVD) saavuttaen kansainvälisen edistyneen tason.
Grafiitti on erinomainen korkean lämpötilan materiaali, mutta se hapettuu helposti korkeissa lämpötiloissa. Jopa inertillä kaasulla varustetuissa tyhjiöuuneissa se voi silti hapettua hitaasti. CVD-tantaalikarbidipinnoitteen (TaC) käyttö voi suojata grafiittisubstraattia tehokkaasti ja tarjoaa saman korkean lämpötilan kestävyyden kuin grafiitti. TaC on myös inertti materiaali, mikä tarkoittaa, että se ei reagoi kaasujen, kuten argonin tai vedyn, kanssa korkeissa lämpötiloissa.TiedusteluTantaalikarbidi-CVD-pinnoitusupokas nyt!
Vuosien kehitystyön jälkeen Semicera on valloittanut teknologianCVD TaCT&K-osaston yhteisillä ponnisteluilla. SiC-kiekkojen kasvuprosessissa vikoja syntyy helposti, mutta käytön jälkeenTaC, ero on merkittävä. Alla on vertailu kiekkoista TaC:lla ja ilman, sekä Simiceran osia yksikiteiden kasvattamiseen.
TaC:lla ja ilman
TaC:n käytön jälkeen (oikealla)
Lisäksi SemiceranTaC-pinnoitetut tuotteetniillä on pidempi käyttöikä ja parempi korkean lämpötilan kestävyys verrattunaSiC pinnoitteet.Laboratoriomittaukset ovat osoittaneet, että meidänTaC-pinnoitteetvoi toimia jatkuvasti jopa 2300 celsiusasteen lämpötiloissa pitkiä aikoja. Alla on esimerkkejä näytteistämme:
