CVD-sic-yhdiste

Johdatus piikarbidipinnoitteeseen 

Kemialliseen höyrypinnoitukseen (CVD) perustuva piikarbidipinnoitteemme (SiC) on erittäin kestävä ja kulutusta kestävä kerros, joka sopii erinomaisesti ympäristöihin, joissa vaaditaan korkeaa korroosion- ja lämmönkestävyyttä.Piikarbidipinnoitelevitetään ohuina kerroksina erilaisille alustoille CVD-prosessin avulla, mikä tarjoaa erinomaiset suorituskykyominaisuudet.


Tärkeimmät ominaisuudet

       ● -Poikkeuksellinen puhtausYlpeilee erittäin puhtaalla koostumuksella99,99995 %, meidänSiC-pinnoiteminimoi kontaminaatioriskit herkissä puolijohdetoiminnoissa.

● -Erinomainen vastustuskykyOsoittaa erinomaisen kulumisen- ja korroosionkestävyyden, joten se sopii täydellisesti haastaviin kemiallisiin ja plasma-olosuhteisiin.
● -Korkea lämmönjohtavuusVarmistaa luotettavan suorituskyvyn äärimmäisissä lämpötiloissa erinomaisten lämpöominaisuuksiensa ansiosta.
● -MittastabiiliusSäilyttää rakenteellisen eheyden laajalla lämpötila-alueella alhaisen lämpölaajenemiskertoimensa ansiosta.
● -Parannettu kovuusKovuusluokka on40 GPaSiC-pinnoitteemme kestää merkittäviä iskuja ja hankausta.
● -Sileä pintakäsittelyAntaa peilimäisen pinnan, joka vähentää hiukkasten muodostumista ja parantaa toiminnan tehokkuutta.


Sovellukset

Semicera SiC-pinnoitteetkäytetään puolijohdevalmistuksen eri vaiheissa, mukaan lukien:

● -LED-sirun valmistus
● -Polysilikonin tuotanto
● -Puolijohdekiteiden kasvu
● -Pii- ja piikarbidiepitaksi
● -Terminen hapettuminen ja diffuusio (TO&D)

 

Toimitamme leijupetireaktoreihin räätälöityjä piikarbidipinnoitettuja komponentteja, jotka on valmistettu lujasta isostaattisesta grafiitista, hiilikuitulujitetusta hiilestä ja 4N uudelleenkiteytetystä piikarbidista.STC-TCS-muuntimet, CZ-yksikköheijastimet, piikarbidikiekkovene, piikarbidikiekkomela, piikarbidikiekkoputki ja kiekkojen kantajat PECVD-, piiepitaksi- ja MOCVD-prosesseihin.


Edut

● -Pidempi käyttöikäVähentää merkittävästi laitteiden seisokkiaikaa ja ylläpitokustannuksia, mikä parantaa tuotannon kokonaistehokkuutta.
● -Parannettu laatuSaavuttaa puolijohdekäsittelyssä tarvittavat erittäin puhtaat pinnat, mikä parantaa tuotteen laatua.
● - Tehokkuuden lisääntyminenOptimoi lämpö- ja CVD-prosesseja, mikä lyhentää sykliaikoja ja parantaa saantoa.


Tekniset tiedot
     

● -RakenneFCC β-faasin polykiteinen, pääasiassa (111)-orientoitunut
● -TiheysTiheys: 3,21 g/cm³
● -KovuusKovuus: 2500 Vickes (500 g:n täyttömäärä)
● -Murtumiskestävyys3,0 MPa·m1/2
● -Lämpölaajenemiskerroin (100–600 °C)4,3 x 10-6k-1
● -Elastisuusmoduuli(1300 ℃):435 Gpa
● -Tyypillinen kalvon paksuus:100 µm
● -Pinnan karheus:2–10 µm


Puhtaustiedot (mitattuna hohtopurkausmassaspektroskopialla)

Elementti

ppm

Elementti

ppm

Li

< 0,001

Cu

< 0,01

Be

< 0,001

Zn

< 0,05

Al

< 0,04

Ga

< 0,01

P

< 0,01

Ge

< 0,05

S

< 0,04

As

< 0,005

K

< 0,05

In

< 0,01

Ca

< 0,05

Sn

< 0,01

Ti

< 0,005

Sb

< 0,01

V

< 0,001

W

< 0,05

Cr

< 0,05

Te

< 0,01

Mn

< 0,005

Pb

< 0,01

Fe

< 0,05

Bi

< 0,05

Ni

< 0,01

 

 
Hyödyntämällä huippuluokan CVD-teknologiaa tarjoamme räätälöityjäSiC-pinnoiteratkaisutvastata asiakkaidemme dynaamisiin tarpeisiin ja tukea puolijohdevalmistuksen kehitystä.

 

123456Seuraava >>> Sivu 1 / 12