Kuvaus
Yrityksemme tarjoaa SiC-pinnoituspalveluita CVD-menetelmällä grafiitin, keraamien ja muiden materiaalien pinnalle. Pinnoitusprosessissa hiiltä ja piitä sisältävät erityiset kaasut reagoivat korkeassa lämpötilassa ja tuottavat erittäin puhtaita SiC-molekyylejä. Nämä molekyylit kerrostuvat pinnoitettujen materiaalien pinnalle ja muodostavat SIC-suojakerroksen.
Tärkeimmät ominaisuudet
1. Erittäin puhdasta piikarbidipinnoitettua grafiittia
2. Erinomainen lämmönkestävyys ja terminen tasaisuus
3. Hieno piikarbidikristallipäällyste sileän pinnan aikaansaamiseksi
4. Korkea kestävyys kemiallista puhdistusta vastaan
CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät ominaisuudet
| SiC-CVD-ominaisuudet | ||
| Kristallirakenne | FCC β-vaihe | |
| Tiheys | g/cm³ | 3.21 |
| Kovuus | Vickersin kovuus | 2500 |
| Raekoko | μm | 2–10 |
| Kemiallinen puhtaus | % | 99.99995 |
| Lämpökapasiteetti | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimaatiolämpötila | ℃ | 2700 |
| Flexuraalinen voima | MPa (RT 4-piste) | 415 |
| Youngin moduuli | Gpa (4pt mutka, 1300 ℃) | 430 |
| Lämpölaajeneminen (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Lämmönjohtavuus | (W/mK) | 300 |
