Semicera tarjoaa erikoistuneita tantaalikarbidipinnoitteita (TaC) erilaisille komponenteille ja kantajille.Semiceran johtava pinnoitusprosessi mahdollistaa tantaalikarbidipinnoitteiden (TaC) korkean puhtauden, korkean lämpötilan vakauden ja korkean kemikaalien sietokyvyn saavuttamisen, mikä parantaa SIC/GAN-kiteiden ja EPI-kerrosten tuotelaatua.Grafiittipäällysteinen TaC-suskeptori) ja pidentää keskeisten reaktorikomponenttien käyttöikää. Tantaalikarbidi-TaC-pinnoitteen käyttö ratkaisee reunaongelman ja parantaa kiteen kasvun laatua, ja Semicera on tehnyt läpimurron tantaalikarbidipinnoitusteknologiassa (CVD) ja saavuttanut kansainvälisen edistyneen tason.
8-tuumaisten piikarbidi- (SiC) kiekkojen tulon myötä erilaisten puolijohdeprosessien vaatimukset ovat tiukentuneet, erityisesti epitaksiaprosesseissa, joissa lämpötilat voivat ylittää 2000 celsiusastetta. Perinteiset suskeptorimateriaalit, kuten piikarbidilla päällystetty grafiitti, sublimoituvat näissä korkeissa lämpötiloissa, mikä häiritsee epitaksiaprosessia. CVD-tantaalikarbidi (TaC) ratkaisee kuitenkin tämän ongelman tehokkaasti kestämällä jopa 2300 celsiusasteen lämpötiloja ja tarjoamalla pidemmän käyttöiän. Ota yhteyttä Semiceraan.s Tantaalikarbidi TaC CVD -pinnoite räätälöidyt osattutustuaksesi lisää edistyneisiin ratkaisuihimme.
Vuosien kehitystyön jälkeen Semicera on valloittanut teknologian, joka...CVD-takuututkimus- ja kehitysosaston yhteisillä ponnisteluilla. Piikarbidikiekoissa on helppo esiintyä vikoja kasvuprosessissa, mutta käytön jälkeenTaC, ero on merkittävä. Alla on vertailu kiekoista TaC:n kanssa ja ilman sitä sekä Simiceran osista yksittäiskiteiden kasvua varten.
TaC:n kanssa ja ilman
TaC:n käytön jälkeen (oikealla)
Lisäksi SemiceranTaC-pinnoitetut tuotteetniillä on pidempi käyttöikä ja parempi lämmönkestävyys verrattunaSiC-pinnoitteet.Laboratoriomittaukset ovat osoittaneet, että meidänTaC-pinnoitteetvoi toimia tasaisesti jopa 2300 celsiusasteen lämpötiloissa pitkiä aikoja. Alla on esimerkkejä näytteistämme:
