Kiina kiekkojen valmistajat, toimittajat, tehdas
Mikä on puolijohdelevy?
Puolijohdekiekko on ohut, pyöreä puolijohdemateriaalin siivu, joka toimii perustana integroitujen piirien (IC) ja muiden elektronisten laitteiden valmistukselle. Kiekko tarjoaa tasaisen ja yhtenäisen pinnan, jolle rakennetaan erilaisia elektronisia komponentteja.
Kiekkojen valmistusprosessiin kuuluu useita vaiheita, mukaan lukien halutun puolijohdemateriaalin suuren yksittäisen kiteen kasvattaminen, kiteen leikkaaminen ohuiksi kiekoiksi timanttisahalla sekä kiekkojen kiillotus ja puhdistus mahdollisten pintavirheiden tai epäpuhtauksien poistamiseksi. Tuloksena olevilla kiekoilla on erittäin tasainen ja sileä pinta, mikä on ratkaisevan tärkeää myöhemmille valmistusprosesseille.
Kun kiekot on valmistettu, ne käyvät läpi useita puolijohteiden valmistusprosesseja, kuten fotolitografian, etsauksen, pinnoituksen ja dopingin, jotta luodaan elektronisten komponenttien rakentamiseen tarvittavat monimutkaiset kuviot ja kerrokset. Näitä prosesseja toistetaan useita kertoja yhdellä kiekolla useiden integroitujen piirien tai muiden laitteiden luomiseksi.
Valmistusprosessin päätyttyä yksittäiset sirut erotetaan leikkaamalla kiekko ennalta määrättyjä linjoja pitkin. Erotetut sirut pakataan sitten suojaamaan niitä ja tarjoamaan sähköisiä liitäntöjä elektronisiin laitteisiin integrointia varten.
Erilaisia materiaaleja kiekossa
Puolijohdekiekot valmistetaan pääasiassa yksikiteisestä piistä sen runsauden, erinomaisten sähköisten ominaisuuksien ja standardien puolijohdevalmistusprosessien yhteensopivuuden vuoksi. Tietyistä sovelluksista ja vaatimuksista riippuen kiekkojen valmistukseen voidaan kuitenkin käyttää myös muita materiaaleja. Tässä on joitakin esimerkkejä:
Piikarbidi (SiC) on laajan kaistanleveyden omaava puolijohdemateriaali, jolla on paremmat fyysiset ominaisuudet perinteisiin materiaaleihin verrattuna. Se auttaa pienentämään erillisten laitteiden, moduulien ja jopa kokonaisten järjestelmien kokoa ja painoa samalla parantaen tehokkuutta.
Piikarbidin tärkeimmät ominaisuudet:
- -Leveä kaistanleveys:Piikarbidin kaistanleveys on noin kolme kertaa piin kaistanleveys, minkä ansiosta se voi toimia korkeammissa lämpötiloissa, jopa 400 °C:ssa.
- -Korkean kriittisen erittelyn kenttä:Piikarbidi kestää jopa kymmenen kertaa piin sähkökentän, mikä tekee siitä ihanteellisen korkeajännitelaitteille.
- -Korkea lämmönjohtavuus:Piikarbidi (SiC) johtaa lämpöä tehokkaasti pois, mikä auttaa laitteita ylläpitämään optimaaliset käyttölämpötilat ja pidentää niiden käyttöikää.
- -Korkean kylläisyyden elektronien ajautumisnopeus:Piin kaksinkertainen ajonopeus mahdollistaa korkeammat kytkentätaajuudet, mikä auttaa laitteiden pienentämisessä.
Sovellukset:
-
-Tehoelektroniikka:Piikarbidista (SiC) valmistetut teholaitteet ovat erinomaisia korkeajännitteisissä, suurivirtaisissa, korkeissa lämpötiloissa ja korkeataajuisissa ympäristöissä, mikä parantaa merkittävästi energianmuunnoksen hyötysuhdetta. Niitä käytetään laajalti sähköajoneuvoissa, latausasemilla, aurinkosähköjärjestelmissä, raideliikenteessä ja älykkäissä sähköverkoissa.
-
-Mikroaaltouunien tiedonsiirto:Piikarbidipohjaiset GaN-radiotaajuuslaitteet ovat ratkaisevan tärkeitä langattomalle tietoliikenneinfrastruktuurille, erityisesti 5G-tukiasemille. Nämä laitteet yhdistävät piikarbidin erinomaisen lämmönjohtavuuden GaN:n korkeataajuiseen ja tehokkaaseen radiotaajuuslähtöön, mikä tekee niistä ensisijaisen valinnan seuraavan sukupolven korkeataajuisiin tietoliikenneverkkoihin.
Galliumnitridi (GaN)on kolmannen sukupolven laajan kaistanleveyden omaava puolijohdemateriaali, jolla on suuri kaistanleveys, korkea lämmönjohtavuus, korkea elektronien kyllästymisnopeus ja erinomaiset läpilyöntikentän ominaisuudet. GaN-laitteilla on laajat sovellusmahdollisuudet korkeataajuisilla, nopeilla ja suuritehoisilla alueilla, kuten LED-energiansäästövalaisimissa, laserprojektorinäytöissä, sähköajoneuvoissa, älykkäissä sähköverkoissa ja 5G-viestinnässä.
Galliumarsenidi (GaAs)on puolijohdemateriaali, joka tunnetaan korkeasta taajuudestaan, suuresta elektroniliikkuvuudestaan, suuresta tehostaan, alhaisesta kohinastaan ja hyvästä lineaarisuudestaan. Sitä käytetään laajalti optoelektroniikka- ja mikroelektroniikkateollisuudessa. Optoelektroniikassa GaAs-substraatteja käytetään LEDien (valodiodit), LD:ien (laserdiodit) ja aurinkosähkölaitteiden valmistukseen. Mikroelektroniikassa niitä käytetään MESFETien (metalli-puolijohde-kenttätransistorit), HEMTien (korkean elektroniliikkuvuuden transistorit), HBT:iden (heteroliitosbipolaaritransistorit), IC:iden (integroidut piirit), mikroaaltodiodien ja Hall-ilmiölaitteiden valmistuksessa.
Indiumfosfidi (InP)on yksi tärkeistä III-V-yhdistepuolijohteista, joka tunnetaan suuresta elektroniliikkuvuudestaan, erinomaisesta säteilynkestävyydestään ja leveästä kaistavyöstään. Sitä käytetään laajalti optoelektroniikka- ja mikroelektroniikkateollisuudessa.
Pyydä tarjous kiekoista
Lähetä meille kiekkomateriaalisi, halkaisijasi, paksuutesi, johtavuustyyppisi, resistiivisyytesi, kiteen orientaatiosi, pintavaatimukset ja määräsi. Semicera tarkistaa pyydetyn kokoonpanon ja tarjoaa tuotevalinta- ja tarjoustukea saatavilla olevien eritelmien perusteella.
