Sintratun piikarbidin materiaalirakenne ja ominaisuudet ilmakehän paineessa

【 Yhteenvetokuvaus 】 Nykyaikaisissa C-, N-, B- ja muissa oksidittomissa korkean teknologian tulenkestävissä raaka-aineissa ilmakehän paineella sintrattu piikarbidi on laaja ja taloudellinen, ja sen voidaan sanoa olevan hiekka- tai tulenkestävää hiekkaa.Puhdas piikarbidi on väritöntä läpinäkyvää kristallia.Joten mikä on piikarbidin materiaalirakenne ja ominaisuudet?

Ilmakehän paineella sintratun piikarbidin materiaalirakenne:

Teollisuudessa käytetty ilmakehän paineella sintrattu piikarbidi on vaaleankeltaista, vihreää, sinistä ja mustaa epäpuhtauksien tyypin ja pitoisuuden mukaan, ja puhtaus on erilainen ja läpinäkyvyys erilainen.Piikarbidin kiderakenne on jaettu kuuden sanan tai timantin muotoiseen plutoniumiin ja kuutioon plutonium-sic.Plutonium-sic muodostaa erilaisia ​​muodonmuutoksia johtuen hiili- ja piiatomien erilaisesta pinoamisjärjestyksestä kiderakenteessa, ja yli 70 erilaista muodonmuutosta on löydetty.beeta-SIC muuttuu alfa-SIC:ksi yli 2100. Piikarbidin teollinen prosessi jalostetaan korkealaatuisella kvartsihiekalla ja öljykoksilla vastusuunissa.Jalostetut piikarbidilohkot murskataan, happo-emäspuhdistus, magneettierotus, seulonta tai veden valinta erilaisten hiukkaskokoisten tuotteiden valmistamiseksi.

Ilmakehän paineella sintratun piikarbidin materiaaliominaisuudet:

Piikarbidilla on hyvä kemiallinen stabiilius, lämmönjohtavuus, lämpölaajenemiskerroin, kulutuskestävyys, joten hankaavan käytön lisäksi käyttökohteita on monia: Esimerkiksi piikarbidijauhe pinnoitetaan turbiinin juoksupyörän tai sylinterilohkon sisäseinään. erityinen prosessi, joka voi parantaa kulutuskestävyyttä ja pidentää käyttöikää 1-2 kertaa.Valmistettu lämmönkestävästä, pienestä, kevyestä, korkealaatuisista tulenkestävästä materiaalista, energiatehokkuus on erittäin hyvä.Matala piikarbidi (mukaan lukien noin 85 % piikarbidia) on erinomainen hapettumisenestoaine teräksen valmistuksen nopeuden lisäämiseen ja kemiallisen koostumuksen helposti säätelemiseen teräksen laadun parantamiseksi.Lisäksi ilmakehän paineessa sintrattua piikarbidia käytetään laajasti myös piihiilitankojen sähköosien valmistuksessa.

Piikarbidi on erittäin kovaa.Morsen kovuus on 9,5, toinen vain maailman kova timantti (10), on puolijohde, jolla on erinomainen lämmönjohtavuus, kestää hapettumista korkeissa lämpötiloissa.Piikarbidissa on vähintään 70 kiteistä tyyppiä.Plutonium-piikarbidi on yleinen isomeeri, joka muodostuu yli 2000 °C:n lämpötiloissa ja jolla on kuusikulmainen kiderakenne (samanlainen kuin wurtsiitti).Sintrattu piikarbidi ilmakehän paineessa

Piikarbidin käyttö puolijohdeteollisuudessa

Piikarbidin puolijohdeteollisuuden ketju sisältää pääasiassa erittäin puhdasta piikarbidijauhetta, yksikidealustaa, epitaksiaalilevyä, tehokomponentteja, moduulipakkauksia ja päätesovelluksia.

1. Yksikidesubstraatti Yksikidealusta on puolijohdetukimateriaalia, johtavaa materiaalia ja epitaksiaalista kasvualustaa.Tällä hetkellä SiC-yksikiteiden kasvatusmenetelmiä ovat fysikaalinen höyrynsiirtomenetelmä (PVT-menetelmä), nestefaasimenetelmä (LPE-menetelmä) ja korkean lämpötilan kemiallinen höyrypinnoitusmenetelmä (HTCVD-menetelmä).Sintrattu piikarbidi ilmakehän paineessa

2. Epitaksiaalinen levy Epitaksiaalinen piikarbidilevy, piikarbidilevy, yksikidekalvo (epitaksiaalinen kerros), jonka suunta on sama kuin substraattikide, jolla on tietyt vaatimukset piikarbidialustan suhteen.Käytännön sovelluksissa laajakaistaiset puolijohdelaitteet valmistetaan lähes kaikki epitaksiaalisessa kerroksessa, ja itse piisirua käytetään vain substraattina, mukaan lukien GaN-epitaksiaalikerroksen substraatti.

3. Erittäin puhdas piikarbidijauhe Erittäin puhdas piikarbidijauhe on raaka-aine piikarbidin yksikiteiden kasvattamiseen PVT-menetelmällä, ja tuotteen puhtaus vaikuttaa suoraan piikarbidin yksikiteen kasvun laatuun ja sähköisiin ominaisuuksiin.

4. Teholaite on piikarbidimateriaalista valmistettu laajakaistainen teho, jolla on korkean lämpötilan, korkean taajuuden ja korkean hyötysuhteen ominaisuudet.Laitteen toimintamuodon mukaan SiC-virtalähde sisältää pääosin tehodiodin ja tehokytkinputken.

5. Liitin Kolmannen sukupolven puolijohdesovelluksissa piikarbidipuolijohteilla on se etu, että ne täydentävät galliumnitridipuolijohteita.Piikarbidilaitteiden korkean muunnoshyötysuhteen, alhaisten lämmitysominaisuuksien, keveyden ja muiden etujen ansiosta jatkoteollisuuden kysyntä kasvaa edelleen ja SiO2-laitteita on suunnattu uusiin.