Tällä hetkellä piikarbidipinnoitteen valmistusmenetelmiä ovat pääasiassa geeli-solimenetelmä, upotusmenetelmä, sivellinpäällystysmenetelmä, plasmaruiskutusmenetelmä, kemiallinen kaasureaktiomenetelmä (CVR) ja kemiallinen höyrypinnoitusmenetelmä (CVD).
Upotusmenetelmä:
Menetelmä on eräänlainen korkean lämpötilan kiinteäfaasisintraus, jossa käytetään pääasiassa Si-jauheen ja C-jauheen seosta upotusjauheena, grafiittimatriisi sijoitetaan upotusjauheeseen ja korkean lämpötilan sintraus suoritetaan inertissä kaasussa. , ja lopuksi SiC-pinnoite saadaan grafiittimatriisin pinnalle.Prosessi on yksinkertainen ja pinnoitteen ja alustan välinen yhdistelmä on hyvä, mutta pinnoitteen tasaisuus paksuussuunnassa on huono, mikä on helppoa tehdä lisää reikiä ja johtaa huonoon hapettumiskestävyyteen.
Sivellin pinnoitusmenetelmä:
Harjapäällystysmenetelmä on pääasiassa harjata nestemäinen raaka-aine grafiittimatriisin pinnalle ja sitten kovettaa raaka-aine tietyssä lämpötilassa pinnoitteen valmistamiseksi.Prosessi on yksinkertainen ja kustannukset ovat alhaiset, mutta sivellinpäällystysmenetelmällä valmistettu pinnoite on heikko yhdessä alustan kanssa, pinnoitteen tasaisuus on huono, pinnoite on ohut ja hapettumisenkestävyys alhainen, ja muita menetelmiä tarvitaan auttamaan se.
Plasma ruiskutusmenetelmä:
Plasmasuihkutusmenetelmä on pääasiassa sulatettujen tai puolisulaneiden raaka-aineiden ruiskuttaminen grafiittimatriisin pinnalle plasmapistoolilla ja sitten jähmettyminen ja sidos pinnoitteen muodostamiseksi.Menetelmä on yksinkertainen käyttää ja sillä voidaan valmistaa suhteellisen tiheä piikarbidipinnoite, mutta menetelmällä valmistettu piikarbidipinnoite on usein liian heikko ja johtaa heikkoon hapettumiskestävyyteen, joten sitä käytetään yleisesti SiC-komposiittipinnoitteen valmistuksessa parantamaan pinnoitteen laatu.
Gel-sol menetelmä:
Geeli-soli-menetelmässä valmistetaan pääasiassa tasainen ja läpinäkyvä sooliliuos, joka peittää matriisin pinnan, kuivataan geeliksi ja sitten sintrataan pinnoitteen saamiseksi.Tämä menetelmä on yksinkertainen käyttää ja edullinen, mutta valmistetussa pinnoitteessa on joitain puutteita, kuten alhainen lämpöiskun kestävyys ja helppo halkeilu, joten sitä ei voida käyttää laajasti.
Kemiallinen kaasureaktio (CVR):
CVR tuottaa pääasiassa piikarbidipinnoitetta käyttämällä Si- ja SiO2-jauhetta SiO-höyryn tuottamiseksi korkeassa lämpötilassa, ja C-materiaalisubstraatin pinnalla tapahtuu sarja kemiallisia reaktioita.Tällä menetelmällä valmistettu SiC-pinnoite sitoutuu tiiviisti alustaan, mutta reaktiolämpötila on korkeampi ja hinta korkeampi.
Kemiallinen höyrypinnoitus (CVD):
Tällä hetkellä CVD on pääteknologia piikarbidipinnoitteen valmistuksessa alustan pinnalle.Pääprosessi on sarja kaasufaasireagenssimateriaalin fysikaalisia ja kemiallisia reaktioita substraatin pinnalla, ja lopuksi SiC-pinnoite valmistetaan kerrostamalla alustan pinnalle.CVD-tekniikalla valmistettu SiC-pinnoite on sidottu tiiviisti alustan pintaan, mikä voi tehokkaasti parantaa substraattimateriaalin hapettumiskestävyyttä ja ablatiivikestävyyttä, mutta tämän menetelmän kerrostumisaika on pidempi ja reaktiokaasulla on tietty myrkyllisyys. kaasua.
Postitusaika: 06.11.2023