Puolijohde SiC päällystetty monokiteinen pii epitaksilevy

Puolijohteella päällystetty piikarbidi, yksikiteinen pii-epitaksilevy, Featured Image

Lyhyt kuvaus:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. on johtava kiekkojen ja edistyneiden puolijohdetarvikkeiden toimittaja.Olemme sitoutuneet tarjoamaan korkealaatuisia, luotettavia ja innovatiivisia tuotteita puolijohteiden valmistukseen,aurinkosähköteollisuusja muut asiaan liittyvät alat.

Tuotevalikoimaamme kuuluvat SiC/TaC-pinnoitetut grafiittituotteet ja keraamiset tuotteet, jotka kattavat erilaisia materiaaleja, kuten piikarbidin, piinitridin ja alumiinioksidin jne.

Luotettavana toimittajana ymmärrämme kulutustarvikkeiden merkityksen valmistusprosessissa ja olemme sitoutuneet toimittamaan korkeimmat laatustandardit täyttäviä tuotteita asiakkaidemme tarpeisiin.

Lähetä meille sähköpostia

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Kuvaus

Yrityksemme tarjoaaSiC pinnoiteprosessipalvelut CVD-menetelmällä grafiitin, keramiikan ja muiden materiaalien pinnalle siten, että hiiltä ja piitä sisältävät erikoiskaasut reagoivat korkeassa lämpötilassa, jolloin saadaan erittäin puhtaita SiC-molekyylejä, molekyylejä, jotka kerrostuvat päällystettyjen materiaalien pinnalle muodostaenSIC suojakerros.

Pääpiirteet

1. Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys:
hapettumisenkestävyys on edelleen erittäin hyvä, kun lämpötila on jopa 1600 C.
2. Korkea puhtaus: valmistettu kemiallisella höyrysaostuksella korkean lämpötilan kloorausolosuhteissa.
3. Eroosionkestävyys: korkea kovuus, kompakti pinta, hienojakoisia hiukkasia.
4. Korroosionkestävyys: happo, alkali, suola ja orgaaniset reagenssit.

CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot

SiC-CVD-ominaisuudet
Kristallirakenne	FCC p-vaihe
Tiheys	g/cm³	3.21
Kovuus	Vickersin kovuus	2500
Jyvän koko	μm	2~10
Kemiallinen puhtaus	%	99,99995
Lämpökapasiteetti	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimaatiolämpötila	℃	2700
Feleksuaalinen voima	MPa (RT 4-piste)	415
Youngin Modulus	Gpa (4 pt bend, 1300 ℃)	430
Lämpölaajeneminen (CTE)	10-6K-1	4.5
Lämmönjohtokyky	(W/mK)	300