Semicera on itse kehittänytSiC keraaminen tiivisteosaon suunniteltu täyttämään nykyaikaisen puolijohteiden valmistuksen korkeat vaatimukset. Tämä tiivisteosa käyttää korkeaa suorituskykyäpiikarbidi (SiC)Materiaali, jolla on erinomainen kulutuskestävyys ja kemiallinen stabiilisuus, mikä takaa erinomaisen tiivistyskyvyn äärimmäisissä ympäristöissä. yhdistettynäalumiinioksidi (Al2O3)japiinitridi (Si3N4), tämä osa toimii hyvin korkeissa lämpötiloissa ja voi tehokkaasti estää kaasun ja nesteen vuotamisen.
Kun sitä käytetään yhdessä laitteiden kanssa, kutenvohveliveneitäja kiekkotelineet, SemiceranSiC keraaminen tiivisteosavoi parantaa merkittävästi koko järjestelmän tehokkuutta ja luotettavuutta. Sen ylivoimainen lämmönkestävyys ja korroosionkestävyys tekevät siitä välttämättömän komponentin korkean tarkkuuden puolijohteiden valmistuksessa, mikä varmistaa vakauden ja turvallisuuden tuotantoprosessin aikana.
Lisäksi tämän tiivisteosan suunnittelu on optimoitu huolellisesti yhteensopivuuden varmistamiseksi erilaisten laitteiden kanssa, mikä tekee siitä helpon käytön eri tuotantolinjoilla. Semiceran T&K-tiimi jatkaa lujasti töitä edistääkseen teknologista innovaatiota varmistaakseen tuotteidensa kilpailukyvyn alalla.
Semiceran valintaSiC keraaminen tiivisteosa, saat yhdistelmän korkeaa suorituskykyä ja luotettavuutta, mikä auttaa sinua saavuttamaan tehokkaampia tuotantoprosesseja ja erinomaisen tuotteiden laadun. Semicera on aina sitoutunut tarjoamaan asiakkailleen parhaat puolijohderatkaisut ja -palvelut edistääkseen alan jatkuvaa kehitystä ja edistymistä.
✓ Huippulaatua Kiinan markkinoilla
✓Hyvä palvelu aina sinulle, 7*24 tuntia
✓Lyhyt toimituspäivä
✓Pieni MOQ tervetuloa ja hyväksytty
✓Räätälöidyt palvelut
Epitaxy Growth Susceptor
Pii/piikarbidikiekkojen on käytävä läpi useita prosesseja, jotta niitä voidaan käyttää elektronisissa laitteissa. Tärkeä prosessi on pii/sic-epitaksi, jossa pii/sic-kiekkoja kuljetetaan grafiittipohjalla. Semiceran piikarbidilla päällystetyn grafiittipohjan erityisetuja ovat erittäin korkea puhtaus, tasainen pinnoite ja erittäin pitkä käyttöikä. Niillä on myös korkea kemiallinen kestävyys ja lämpöstabiilisuus.
LED-sirun tuotanto
MOCVD-reaktorin laajan päällystyksen aikana planeettapohja tai kantoaine siirtää substraattikiekkoa. Pohjamateriaalin suorituskyvyllä on suuri vaikutus pinnoitteen laatuun, mikä puolestaan vaikuttaa hakkeen romumäärään. Semiceran piikarbidilla päällystetty pohja lisää korkealaatuisten LED-kiekkojen valmistustehokkuutta ja minimoi aallonpituuspoikkeaman. Toimitamme myös lisägrafiittikomponentteja kaikkiin tällä hetkellä käytössä oleviin MOCVD-reaktoreihin. Voimme päällystää melkein minkä tahansa komponentin piikarbidipinnoitteella, vaikka komponentin halkaisija olisi jopa 1,5M, voimme silti päällystää piikarbidilla.
Puolijohdekenttä, hapetusdiffuusioprosessi, jne.
Puolijohdeprosessissa hapetuslaajennusprosessi vaatii korkeaa tuotteen puhtautta, ja Semiceralla tarjoamme räätälöityjä ja CVD-pinnoituspalveluita suurimmalle osalle piikarbidiosia.
Seuraavassa kuvassa näkyy Semicean karkeasti käsitelty piikarbidiliete ja piikarbidiuunin putki, joka puhdistetaan 100:ssa0-tasopölytönhuone. Työntekijämme työskentelevät ennen pinnoitusta. Piikarbidimme puhtaus voi olla 99,99%, ja sic-pinnoitteen puhtaus on yli 99,99995%..
Raaka piikarbidilapa ja piikarbidiprosessiputki puhdistuksessa
Piikarbidikiekkovene CVD SiC päällystetty
