SiC-pinnoitetut grafiittipohjaiset suskeptorit MOCVD:lle

SiC-pinnoitetut grafiittipohjaiset suskeptoritsemiceran MOCVD:lle on suunniteltu tarjoamaan poikkeuksellista suorituskykyä epitaksiaalisissa kasvuprosesseissa. Grafiittipohjan korkealaatuinen piikarbidipinnoite varmistaa vakauden, kestävyyden ja optimaalisen lämmönjohtavuuden MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) -operaatioiden aikana. Käyttämällä semiceran innovatiivista suskeptoriteknologiaa voit saavuttaa parannetun tarkkuuden ja tehokkuudenSi EpitaksijaSiC Epitaxysovelluksia.

NämäMOCVD-suskeptoriton suunniteltu tukemaan useita olennaisia ​​puolijohdekomponentteja, kutenPSS-etsausteline, ICP-etsausteline, jaRTP-operaattori, mikä tekee niistä monipuolisia erilaisiin etsaus- ja epitaksitehtäviin. Semiceran sitoutuminen korkeisiin standardeihin varmistaa, että nämä suskeptorit täyttävät nykyaikaisen puolijohdetuotannon tiukat vaatimukset.

Ihanteellinen käytettäväksiLED EpitaksiaalinenSusceptor-, Barrel Susceptor- ja Monocrystalline Silicon -prosesseissa nämä suskeptorit voidaan räätälöidä erikokoisille kiekkoille, mukaan lukien Pancake Susceptor -kokoonpanoille. Ne ovat myös erittäin tehokkaita aurinkosähköosien käsittelyssä, mikä tekee niistä ratkaisevan tärkeän osan tehokkaiden aurinkokennojen kehittämisessä.

Lisäksi SiC Coated Graphite Base Susceptors for MOCVD on optimoitu GaN on SiC Epitaxy, mikä tarjoaa erinomaisen yhteensopivuuden kehittyneiden puolijohdemateriaalien kanssa. Olitpa keskittynyt sadon parantamiseen tai epitaksiaalisen kasvun laadun parantamiseen, semiceran suskeptorit tarjoavat luotettavuuden ja suorituskyvyn, joita tarvitaan menestymiseen huipputeknologian aloilla.