Piikarbidilla päällystetty levy MOCVD:lle

ThePiikarbidilevysemiceran MOCVD:lle, korkean suorituskyvyn ratkaisu, joka on suunniteltu optimaaliseen tehokkuuteen epitaksiaalisissa kasvuprosesseissa. Semicerra Silicon Carbide Disc tarjoaa poikkeuksellisen lämpöstabiilisuuden ja tarkkuuden, mikä tekee siitä olennaisen osan Si Epitaxy- ja SiC Epitaxy -prosesseissa. Tämä levy, joka on suunniteltu kestämään korkeita lämpötiloja ja MOCVD-sovellusten vaativia olosuhteita, takaa luotettavan suorituskyvyn ja pitkäikäisyyden.

Piikarbidilevymme on yhteensopiva useiden MOCVD-asetusten kanssa, mukaan lukienMOCVD-suskeptorijärjestelmät ja tukee edistyneitä prosesseja, kuten GaN on SiC Epitaxy. Se integroituu myös sujuvasti PSS Etching Carrier-, ICP Etching Carrier- ja RTP Carrier -järjestelmiin, mikä parantaa tuotantotulostesi tarkkuutta ja laatua. Käytetäänpä sitten monokiteisen piin tuotantoon tai LED-epitaksiaaliseen suskeptorisovelluksiin, tämä levy varmistaa poikkeuksellisen tuloksen.

Lisäksi semiceran piikarbidilevy on mukautettavissa erilaisiin kokoonpanoihin, mukaan lukien Pancake Susceptor- ja Barrel Susceptor -asennuksiin, mikä tarjoaa joustavuutta erilaisissa valmistusympäristöissä. Aurinkosähköosien sisällyttäminen laajentaa sen käyttöä aurinkoenergiateollisuudelle, mikä tekee siitä monipuolisen ja välttämättömän komponentinepitaksiaalinenkasvu ja puolijohdevalmistus.