Piipohjainen GaN-epitaksi

Tuotteen Kuvaus

Yrityksemme tarjoaaSiC pinnoiteprosessipalvelut CVD-menetelmällä grafiitin, keramiikan ja muiden materiaalien pinnalle siten, että hiiltä ja piitä sisältävät erikoiskaasut reagoivat korkeassa lämpötilassa, jolloin saadaan erittäin puhtaita SiC-molekyylejä, molekyylejä, jotka kerrostuvat päällystettyjen materiaalien pinnalle muodostaenSIC suojakerros.

Pääpiirteet:

1. Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys:

hapettumisenkestävyys on edelleen erittäin hyvä, kun lämpötila on jopa 1600 C.

2. Korkea puhtaus: valmistettu kemiallisella höyrysaostuksella korkean lämpötilan kloorausolosuhteissa.

3. Eroosionkestävyys: korkea kovuus, kompakti pinta, hienojakoisia hiukkasia.

4. Korroosionkestävyys: happo, alkali, suola ja orgaaniset reagenssit.