Kuvaus
Yrityksemme tarjoaa piikarbidipinnoitusprosessipalveluita CVD-menetelmällä grafiitin, keramiikan ja muiden materiaalien pinnalle siten, että erityiset hiiltä ja piitä sisältävät kaasut reagoivat korkeassa lämpötilassa, jolloin saadaan erittäin puhtaita SiC-molekyylejä, pinnoitettujen materiaalien pinnalle kerrostettuja molekyylejä, muodostaen SIC-suojakerroksen.
Pääpiirteet
1. Korkean puhtauden piikarbidilla päällystetty grafiitti
2. Erinomainen lämmönkestävyys ja lämmön tasaisuus
3. Hieno SiC-kidepinnoitettu sileä pinta
4. Korkea kestävyys kemiallista puhdistusta vastaan
CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot
| SiC-CVD-ominaisuudet | ||
| Kristallirakenne | FCC p-vaihe | |
| Tiheys | g/cm³ | 3.21 |
| Kovuus | Vickersin kovuus | 2500 |
| Jyvän koko | μm | 2~10 |
| Kemiallinen puhtaus | % | 99,99995 |
| Lämpökapasiteetti | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimaatiolämpötila | ℃ | 2700 |
| Feleksuaalinen voima | MPa (RT 4-piste) | 415 |
| Youngin Modulus | Gpa (4 pt bend, 1300 ℃) | 430 |
| Lämpölaajeneminen (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Lämmönjohtokyky | (W/mK) | 300 |
-
Piin epitaksiaalinen kerrostuminen tynnyrin suskeptoriin
-
Grafiittisuskeptori piikarbidipinnoitteella...
-
Piikarbidilla päällystetty epitaksiaalireaktorin piippu
-
CVD-epitaksiaalinen kerrostuminen epitaksireaktorijärjestelmässä
-
Laadukas tantaalikarbidi (TaC) pinnoite
-
Half Parts Drum Products Epitaksiaalinen osa