Piikiekon lämpöoksidikerros on oksidikerros tai piikerros, joka on muodostettu piikiekon paljaalle pinnalle korkeissa lämpötiloissa hapettimella.Piikiekon lämpöoksidikerrosta kasvatetaan yleensä vaakasuorassa putkiuunissa, ja kasvulämpötila-alue on yleensä 900 ° C ~ 1200 ° C, ja on olemassa kaksi kasvutilaa "märkä hapetus" ja "kuiva hapetus".Terminen oksidikerros on "kasvatettu" oksidikerros, jolla on korkeampi homogeenisuus ja korkeampi dielektrinen lujuus kuin CVD-pinnoitetulla oksidikerroksella.Lämpöoksidikerros on erinomainen dielektrinen kerros eristeenä.Monissa piipohjaisissa laitteissa lämpöoksidikerroksella on tärkeä rooli dopingin estokerroksena ja pintadielektrisenä aineena.
Vinkkejä: Hapetustyyppi
1. Kuivahapetus
Pii reagoi hapen kanssa ja oksidikerros siirtyy kohti peruskerrosta.Kuivahapetus on suoritettava lämpötilassa 850 - 1200 ° C, ja kasvunopeus on alhainen, jota voidaan käyttää MOS-eristysportin kasvattamiseen.Kun tarvitaan korkealaatuista, erittäin ohutta piioksidikerrosta, kuivahapetus on parempi kuin märkähapetus.
Kuivahapetuskapasiteetti: 15nm ~ 300nm (150A ~ 3000A)
2. Märkähapetus
Tämä menetelmä käyttää vedyn ja erittäin puhtaan hapen seosta palamaan ~1000 °C:ssa, jolloin muodostuu vesihöyryä oksidikerroksen muodostamiseksi.Vaikka märkähapetus ei voi tuottaa yhtä korkealaatuista hapetuskerrosta kuin kuivahapetus, mutta riittää käytettäväksi eristysvyöhykkeenä, kuivahapetukseen verrattuna on selvä etu, että sillä on suurempi kasvunopeus.
Märkähapetuskapasiteetti: 50nm ~ 15 µm (500A ~ 15 µm)
3. Kuivamenetelmä - märkämenetelmä - kuivamenetelmä
Tässä menetelmässä hapetusuuniin vapautetaan alkuvaiheessa puhdasta kuivaa happea, vetyä lisätään hapettamisen keskellä ja vetyä varastoidaan lopussa jatkamaan hapetusta puhtaalla kuivalla hapella, jolloin muodostuu tiheämpi hapetusrakenne kuin tavallinen märkähapetusprosessi vesihöyryn muodossa.
4. TEOS-hapetus
| Hapetustekniikka | Märkähapetus tai kuivahapetus |
| Halkaisija | 2″ / 3" / 4" / 6" / 8" / 12" |
| Oksidin paksuus | 100 Å ~ 15 µm |
| Toleranssi | +/- 5 % |
| Pinta | Yksipuolinen hapetus (SSO) / kaksipuolinen hapetus (DSO) |
| Uunin | Vaakaputkiuuni |
| Kaasu | Vety ja happikaasu |
| Lämpötila | 900 ℃ ~ 1200 ℃ |
| Taitekerroin | 1.456 |
